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东微半导获109家机构调研:东微量产的新一代IGBT产品主要应用在光伏逆变、储能、充电桩模块等领域(附调研问答)
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发布时间:2022-05-26 06:47:29 来源:雷火官网 作者:雷火平台

  东微半导4月11日发布投资者关系活动记录表,公司于2022年3月29日接受109家机构单位调研,机构类型为保险公司、其他、基金公司、海外机构、证券公司、阳光私募机构。

  答:公司是以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是一家具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司。

  公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET以及超级硅MOSFET、Tri-gate IGBT等产品。同时,公司不断进行技术创新,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。

  问:公司TGBT产品与IGBT是否完全不同,请具体介绍公司产品在工艺、结构、下游应用方面以及公司下游导入的方向?

  答:严谨来讲,TGBT是一种新型结构的IGBT,是基于公司自研专利的创新型器件结构定义的一种IGBT器件。公司依靠对器件结构设计的创新,实现了关键技术参数的优化。东微量产的新一代IGBT产品主要应用在光伏逆变、储能、充电桩模块等领域。

  答:TGBT是一种新型结构的IGBT,实现了关键技术参数的大幅优化,具有电流密度大、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

  答:东微在该领域有一定的技术积累和经验,同时也在积极关注和探索相关产品及其应用。

  答:目前公司IGBT产品主要是以单管为主,公司着力在器件结构、工艺技术方面做深入研究。基于公司提出的TGBT的技术与性能优势,在IGBT单管领域有较强竞争力,未来在模块领域相信也会有竞争优势。

  答:公司属于技术驱动型功率半导体器件设计公司,按需配置人员,截至2021年6月30日,公司员工人数为68人。未来也会持续吸引公司发展所需要的各方面人才。同时借助于信息化等手段提升公司的运营效率。

  严谨来讲,TGBT是一种新型结构的IGBT,是基于公司自研专利的创新型器件结构定义的一种IGBT器件。公司依靠对器件结构设计的创新,实现了关键技术参数的优化。东微量产的新一代IGBT产品主要应用在光伏逆变、储能、充电桩模块等领域。

  问:请问公司中低压屏蔽栅MOSFET产品的相关参数、技术特点及应用领域?

  答:中低压MOSFET功率器件通常指工作电压为10V-300V之间的MOSFET功率器件,该类器件更加适用于低电压的应用场景,如电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、移动电源、适配器、数码类锂电池保护板等产品中。中低压MOSFET功率器件结构通常包括沟槽栅VDMOS及屏蔽栅MOSFET。

  公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构,兼备普通平面MOSFET与传统屏蔽栅器件的优点,产品规格丰富,工作电压覆盖25V-150V。

  问:目前按照公司的出货情况,是否以超级结MOSFET产品为主,IGBT产品作为一个补充?

  答:超级结MOSFET和IGBT均是公司的主要产品,后续我们会进一步丰富不同的产品规格,持续优化产品结构,提升产品性能。

  在市场规模上,虽然IGBT整体市场规模空间比超级结更大一些,但目前第三方机构在超级结细分市场的统计信息比较有限,我们的数据显示超级结的市场空间会比第三方机构预期的更大,且增速会更高。

  答:在研发上,我们秉持脚踏实地理念,前瞻布局、长远规划。通过科技与发展储备资金的补充有效增强公司的研发能力和经营能力,公司也会持续招募引进人才,加大研发投入力度,开发出更好的产品。

  答:公司采用Fabless运营模式,封装测试服务委托外部完成,模块封装产线暂时没有规划。

  问:请公司解读主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及超级硅、TGBT产品在各领域的分布情况。

  答:公司产品的应用端以大功率段的工业级应用和汽车领域应用为主,此外在新能源汽车充电桩、5G基站电源及通信电源、数据服务器电源等领域都有布局。

  问:请公司基于2021年产品销售的应用领域分布展望2022年各系列产品的营收结构。

  答:公司产品通用性比较强,工业级应用、汽车相关领域、新能源充电桩等是公司的优势领域,车载OBC、光伏逆变器、储能、通信电源、植物照明等领域也在持续渗透。旨在优化公司产品应用领域的多元化、均衡化分布。

  问:请问公司MOSFET、TGBT产品跟其他厂商在器件结构、工艺上的区别?

  答:公司MOSFET产品,采用了自主研发的优化电荷平衡技术、优化栅极设计及独创的缓变电容核心原胞结构,速度比较快,栅极震荡较小。

  公司TGBT产品器件结构是一种区别于国际主流IGBT的创新型器件结构,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,同时优化了导通损耗与开关损耗。

  龚轶先生,硕士毕业于英国纽卡斯尔大学,曾任美国超微半导体公司工程师,德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家。

  联合创始人王鹏飞先生,博士毕业于德国慕尼黑工业大学,曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师、德国奇梦达公司(QimondaAG)技术创新和集成部门研发工程师、复旦大学微电子学院教授。

  对国际大厂的创新体系、器件研究方法比较熟悉,能够在器件底层结构方面进行创新。曾在《Science》上发表过微电子器件研究论文。公司核心技术团队钻研半导体领域多年,有丰厚的经验积累,在高压超级结MOS、中低压MOS及IGBT方面也有较多的创新。

  答:公司在第三代半导体领域有一定的技术积累和经验,同时也在积极关注和探索相关产品及其应用。

  答:没有障碍,公司的晶圆代工企业和封装测试服务供应商均为行业知名企业,可以很好地实现硅基产品的生产制造和封装测试。公司的技术创新及尝试,均能获得代工厂的支持与积极配合。

  答:公司跟上游晶圆代工厂签署的是客制化代工协议,与晶圆代工厂沟通工艺技术,并对该工艺技术的可靠性、稳定性负责。基于这样的合作模式,公司自主进行芯片性能定义、仿真与理论分析、工艺平台选择以及工艺生产流程的定制化。

  答:公司的目标还是要持续丰富产品,提高产品供应能力。同时,依托于上游产能保障、公司自身技术迭代提升产品竞争力。

  答:公司产品主要的下游应用领域在新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器、储能、新能源汽车车载OBC、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域。未来会持续发力工业级、汽车相关领域。

  问:请介绍公司IGBT产品的技术特性、产品形式、应用领域以及主要晶圆代工企业。

  答:公司的IGBT产品是具有独立知识产权的TGBT器件结构,是一种区别于国际主流IGBT的创新型器件结构,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,同时优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

  公司的IGBT产品目前主要以单管为主,适用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。

  问:随着友商公司产品结构在持续优化,并逐步导入头部客户等情况,面对这样的市场竞争压力,东微将如何应对?

  答:公司会根据技术发展趋势和终端客户需求不断升级更新现有产品并研发新技术和新产品,并通过持续的研发投入和技术创新,保持技术先进性和产品竞争力。

  答:对于出货量比较集中的大客户,公司会积极给与支持和配合,定期沟通客户需求并提前进行公司的出货安排。同时,对其他客户,公司也会根据经营策略给与产能和产品出货分配。

  答:公司超级硅系列产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。

  通过调整器件结构、优化制造工艺,突破了传统硅基超级结功率器件的开关速度瓶颈,适用于高密度电源模块的应用,如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器等领域。

  答:首先,目前第三方机构在超级结MOSFET产品市场统计数据比较有限或低估。其次,公司并不是局限于以超级结MOSFET作为单一产品的供应商,对功率板块的其他器件都有研究和涉猎,随着公司TGBT产品、第三代功率半导体产品的研发与量产等业务的陆续展开,公司产品的均衡度会进一步提高。

  答:在功率半导体行业,关键技术人员是公司获得持续竞争力的基础,也是公司持续进行技术创新和保持竞争优势的主要因素之一。

  答:公司与代工合作伙伴充分依托各自在技术研发、生产制造等方面的优势集中资源共同发展,进而提高各自的竞争力,进一步强化公司的技术优势和产能优势。

  问:关于公司IGBT产品的结构、创新点,与传统结构、成本方面的比较优势以及当前应用进展现状。

  答:公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构,是一种区别于国际主流IGBT的创新型器件结构,在不提高制造难度的前提下提升了功率密度,优化了内部载流子分布,调整了电场与电荷的分布,同时优化了导通损耗与开关损耗,具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

  公司的IGBT产品主要适用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。

  答:公司超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。通过调整器件结构、优化制造工艺,突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈,具有栅电荷与导通电阻的乘积优值小、工艺成熟度高的特点及优势。

  问:请概括公司销售增长的驱动力有哪些方面?答、(1)国产替代加速;(2)终端应用市场需求爆发;(3)双碳背景下绿色节能需求;(4)公司器件结构、底层技术创新驱动公司研发出更多高速、高可靠性的产品赢得了终端客户的广泛认可。

  答:公司研发人员的规模可以参考公司公告信息,研发人员同时负责器件结构设计和制造工艺,这是由于功率器件的制造工艺较为特殊,特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合,研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计,才能制造出更贴合终端客户需求的产品。

  答:公司创始人龚轶先生和王鹏飞先生没有在上海华虹宏力半导体制造有限公司的工作经验。

  答:嵌入式存储器件和功率器件的共同之处:依赖于半导体器件性能,底层的器件物理原理是相通的。

  答:同样制程下,12寸单片晶圆产出的芯片数量会更多,Foundry12寸产线上的机台相对更先进,产品精度上也会更好,预计12寸是未来主流趋势。

  MOSFET产品主要适用于工业、消费、新能源汽车等领域,是公司现阶段主要产品。

  IGBT主要适用于光伏逆变与储能、乘用车OBC、充电桩模块等领域,受益于新能源、光伏的发展,预计未来将表现出较高景气度。

  问:公司超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、IGBT产品产能规划情况?

  答:公司在各产品端的产能分配是基于公司的经营策略,在聚焦工业级、车规级应用的基础上,保持了差异化、合理化的产能分配;

  苏州东微半导体股份有限公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

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  近期的平均成本为182.59元,股价在成本上方运行。多头行情中,目前处于回落整理阶段且下跌趋势有所减缓。该股资金方面呈流出状态,投资者请谨慎投资。该公司运营状况良好,多数机构认为该股长期投资价值较高。

  限售解禁:解禁2031万股(预计值),占总股本比例30.14%,股份类型:首发原股东限售股份,首发战略配售股份。(本次数据根据公告推理而来,实际情况以上市公司公告为准)

  限售解禁:解禁63.85万股(预计值),占总股本比例0.95%,股份类型:首发一般股份。(本次数据根据公告推理而来,实际情况以上市公司公告为准)

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